Реферат по дисциплине "Введение в специальность" На тему : "Оперативная память. Принципы работы. Элементы оп. Кэш-память."



Скачать 335.59 Kb.
Дата14.02.2017
Размер335.59 Kb.
Просмотров670
Скачиваний2
ТипРеферат


Реферат по дисциплине “Введение в специальность”

На тему : “Оперативная память. Принципы работы.

Элементы ОП. Кэш-память.”



Выполнила: студентка 1 курса

ФИТ ПИН 1206

Журавлёва Полина

Проверил: Калабин Александр Леонидович



План реферата

1. Функции, назначения

2. Состав

3. Принципы работы

4. Взаимосвязи в системе рс

5. Параметры и характеристики. Критерии выбора

6. Эволюция,

7. Перспектива.

8. Сводные таблицы сравнений

9. Заключение

10. Кэш-память

11. Глоссарий

12. Список литературы

Оперативная память компьютера – это память, в которой хранится временная информация, необходимая для корректной работы запущенных на данный момент процессов, программ и приложений. Память отличается большой скоростью доступа к ней.

1.Функции ОС


  • Управление памятью;

  • Управление доступом к устройствам ввода-вывода;

  • Управление файловой системой;

  • Управление взаимодействием процессов, диспетчеризация процессов;

  • Управление использованием ресурсов;

  • Загрузка программ в оперативную память и их выполнение;

  • Интерфейс с пользователем;

  • Межмашинное взаимодействие (сеть);

  • Защита самой системы и пользовательских данных и программ;

  • Разграничение прав доступа и многопользовательский режим работы.

Назначение ОЗУ


  • Хранение данных и команд для дальнейшей их передачи процессору для обработки. Информация может поступать из оперативной памяти не сразу на обработку процессору, а в более быструю, чем ОЗУ, кэш-память процессора.

  • Хранение результатов вычислений, произведенных процессором.

  • Считывание (или запись) содержимого ячеек.


2.Состав  

Оперативная память выполняется в виде отдельных модулей, которые состоят из нескольких чинов памяти и устанавливаются в соответствующие разъемы на системной плате. Каждый чип памяти — это особая матрица из миллионов миниатюрных конденсаторов, которые являются элементарными ячейками памяти и могут находиться в заряженном (1) или разряженном (0) состоянии. Кроме конденсаторов, чип содержит схемы управления чтением, записью н регенерацией данных. Последняя служит для восстановления заряда конденсаторов, поскольку со временем они самопроизвольно разряжаются.


Принято выделять два вида оперативной памяти: статическую (SRAM) и динамическую (DRAM). SRAM используется в качестве кэш-памяти процессора, а DRAM - непосредственно в роли оперативной памяти компьютера.
SRAM (Кэш-память) состоит из триггеров. Триггеры могут находиться лишь в двух состояниях: «включен» или «выключен» (хранение бита). Триггер не хранит заряд, поэтому переключение между состояниями происходит очень быстро. Однако триггеры требуют более сложную технологию производства. Это неминуемо отражается на цене устройства. Во-вторых, триггер, состоящий из группы транзисторов и связей между ними, занимает много места (на микроуровне), в результате SRAM получается достаточно большим устройством.
В DRAM нет триггеров, а бит сохраняется за счет использования одного транзистора и одного конденсатора. Получается дешевле и компактней. Однако конденсаторы хранят заряд, а процесс зарядки-разрядки более длительный, чем переключение триггера. Как следствие, DRAM работает медленнее. Второй минус – это самопроизвольная разрядка конденсаторов. Для поддержания заряда его регенерируют через определенные промежутки времени, на что тратится дополнительное время.
Вид модуля оперативной памяти:

Внешне оперативная память персонального компьютера представляет собой модуль из микросхем (8 или 16 штук) на печатной плате. Модуль вставляется в специальный разъем на материнской плате.

По конструкции модули оперативной памяти для персональных компьютеров делят на SIMM (одностороннее расположение выводов) и DIMM (двустороннее расположение выводов). DIMM обладает большей скоростью передачи данных, чем SIMM. В настоящее время преимущественно выпускаются DIMM-модули.


3.Принципы работы

Все современные модули памяти основываются на технологии динамической памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory). При этом в основе микросхемы оперативной памяти лежит прямоугольная матрица ячеек памяти (ядро), горизонтальные линейки которой называются строками (ROW), а вертикальные — столбцами (Column) или страницами (Page).

Каждая ячейка памяти хранит один бит информации. При этом в техническом плане она представляет собой миниатюрный конденсатор, на котором может быть или не быть заряд (значение 1 или 0). Запирает/отпирает этот конденсатор миниатюрный транзистор, который также имеется у каждой ячейки и который удерживает конденсатор от разряда. Соответственно, когда информация считывается из ячейки, транзистор открывает конденсатор, соединяя обкладку конденсатора с соответствующим ей столбцом. При этом происходит считывание всего столбца. Обращаю внимание, что именно столбец (страница) является минимальной порцией обмена с ядром динамической памяти. Считывание производится в специальный буфер, а к одной ячейке можно уже обратиться в нем по номеру строки, что будет учитываться как смещение в странице.

Любое обращение к памяти начинается с подачи номера строки (несмотря на то, что считывание ведется столбцами), затем подается номер столбца (при этом сигнал подачи строки остается активным). О том, что на микросхему памяти идет номер строки, возвещает сигнал RAS (от row address strobe — строб адреса строки) перед ним, а столбца (страницы) — сигнал CAS (от column address strobe — строб адреса столбца). По спаду сигнала С AS и начинается цикл записи или чтения данных.

Таким образом, задержка между подачей номера строки и номера столбца называется RAS to CAS delay (сокращенно — tRCD). Задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки па выходе — CAS delay (сокращенно tCAS).

Как следует из расшифровки DRAM, оперативная память является динамической. Связано это с тем, что, несмотря на использование высококачественных диэлектриков, заряд в ячейках стекает очень быстро. Поэтому их надо постоянно обновлять — регенерировать, то есть записывать самих в себя. Для этой цели в микросхемы памяти включается специальный регенератор.

Иными словами, принцип работы оперативной памяти примерно таков. При включении компьютера в оперативную память загружается информация, необходимая для нормальной работы операционной системы и приложений, загружаемых вместе с ней при включении. Оставшаяся часть памяти призвана оперативно обслуживать работу компьютера с приложениями и программами, запускаемыми вручную после их запуска.

4.Взаимосвязи в системе PC

Оперативная память подключается внутри ПК к шинам ПК, к которым подключаются и процессор, и контроллеры устройств ввода-вывода.Работа оперативной памяти непосредственно связана с работой процессора и внешних устройств ПК, так как именно ей процессор и внешние устройства «доверяют» свою информацию.

Для обмена информацией с другими устройствами, оперативная память задействует три шины:


  • Адресная шина. Данная шина предназначена для передачи адреса ячейки, к которой обращается контроллер;

  • Шина данных. Предназначена для непосредственной передачи данных;

  • Командная шина. По командной шине из системной памяти поступают команды, выполняемые процессором.


5.Параметры и характеристики. Критерии выбора

Главными факторами при выборе оперативной памяти для настольного компьютера выступают Производительность и Цена, которые напрямую зависят друг от друга. Рассмотрим, какие характеристики на них влияют и попробуем выбрать оптимальное соотношение.

 Основные параметры - Тип, Обьем, Частота, Тайминги, Напряжение, Производитель.

Типы оперативной памяти. Актуальный сегодня тип - это DDR3 (Третье поколение Double Data Rate). В сравнении с предыдущим, вторым поколением (DDR2), все планки DDR3 имеют лучшую производительность при значительно уменьшенном энергопотреблении.

Объем оперативной памяти. Объем оперативной памяти не должен быть меньше, чем максимальный суммарный объем Возможных активных приложений. Общий объем оперативной памяти равняется сумме объемов каждой отдельной ее планки. То есть, если Вы установите две планки ОЗУ по 1 Гб., то общий доступный объем станет 2 Гб. Для бюджетного (Например, офисного) компьютера будет более, чем достаточно 2 Гб. Для домашнего (многоцелевого) ПК оптимальным будет 4-6 Гб. (в зависимости от количества планок - 2 шт, или 3 шт. по 2 Гб. каждая). Для современной игровой машины -не меньше 6-8 Гб.

Частота оперативной памяти. (Пропускная способность каналов, по которым данные передаются на материнскую плату, а оттуда - в процессор.) Чем больше - тем лучше. Желательно, чтобы этот параметр совпадал с допустимой частотой материнской платы. Если у оперативной памяти, допустим, частота 1600 МГц, а у системной платы - 1066, тогда Ваша ОЗУ не сможет полностью раскрыть свой потенциал и будет работать на более низкой частоте в 1066 МГц.

Тайминги оперативной памяти. (задержи или латентность (Latency) ОЗУ.) Характеризуется этот параметр временем задержки данных при переходе между разными модулями микросхемы ОЗУ. Этих параметров много, но в спецификациях и описанных указываются только 4 основные:

1. CAS Latency

2. RAS to CAS Delay

3. RAS Precharge Time

4. DRAM Cycle Time

Меньшие значения означают более высокое быстродействие. Но,чем больше частота оперативной памяти - тем выше ее тайминги. Есть, например, специальные модели у разных производителей, в примечании к которым указано "Low Latency". Это означает, что данная модель при более высокой рабочей частоте имеет меньшее время задержек.

Напряжение. (Требуемое напряжение для стабильной работы оперативной памяти при стандартных частоте и таймингах.) Чем меньше - тем лучше, но этот параметр важен только при разгоне(повышение быстродействия компонентов компьютера), поскольку при значительном завышении частоты, или занижении таймингов, требуется дополнительно пропорционально повышать напряжение,что в свою очередь сопровождается дополнительным повышением температуры определенных модулей материнской платы и ухудшением стабильности такой системы. В этих целях выпускаются специальные модели оперативной памяти с маркировкой "LV" - Low Voltage.

Производитель ОЗУ.

Дополнительное внимание следует уделить вопросу желаемого количества модулей оперативной памяти. Дело в том, что в зависимости от модели материнской платы и количества на ней разъемов для ОЗУ, планки оперативной памяти могут работать в разных скоростных режимах (Single, Dual, Triple - Одиночный, Двойной, Тройной). Посчитайте общее количество слотов для подключения ОЗУ на Вашей материнской плате. В стандартных настольных моделях их может быть: 4, 6, 8. Разделите эти цифры на 2 и получите минимальное количество требуемых планок для оптимальной скорости работы. Например, если у Вас 4 слоты - значит для задействования оптимального режима Вам потребуется 2 или 4 планки оперативной памяти Одного производителя и модели. То есть вы активируете один или 2 режимы "Dual". Для работы в определенном режиме, Вы должны подключить модули в разъемы одинакового цвета (как правило, через один).

Расшифровка стандартной маркировки оперативной памяти :


"DDR3 RAM 2Гб Goodram (1600МГц CL9 (9-11-11-29) 1.5V)"

  • DDR3 – тип ОЗУ

  • RAM 2Гб. – объем оперативной памяти

  • Goodram – производитель

  • 1600 МГц. – частота

  • CL9 (9-11-11-29) – тайминги (задержки)

  • 1.5 V – рабочее напряжение


6. Эволюция

Самый простой способ повысить производительность вашей системы — увеличить объем оперативной памяти. Совершим небольшой экскурс в историю.

Ранние компьютеры , такие как 286, 386, и первые модели Macintosh комплектовались памятью, известной как 30pin SIMM (Singl Inline Memory Module) Пропускная способность этих модулей равнялась 8 битам, поэтому в системах 286 и386sх с 16 битным процессором SIMM должны были устанавливаться парами, а 32битные системы требовали установки 4х модулей памяти.

Объем первых SIMM составлял всего 256 килобайт, а максимально возможный выпущенный в этом форм-факторе - 16МБ

На смену 30пиновым SIMM пришли 72 Pin SIMM

72 Pin SIMM имели 32х битную шину , что позволяло использовать 1 модуль в 386 и 486х системах или пару в Pentium.Минимальный размер памяти выпущенной в этом формате 1Мб а максимальный достиг 128Мб

Модули DIMM (Dual Inline Memory Module ) следующая ступень в эволюции оперативной памяти. 168 контактный SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access memory) DIMM ,был лидером на рынке оперативной памяти с 1993 вплоть до 2000 года.

SDRAM чипы производились с шинами 4, 8 и 16 бит, а пропускная способность стандартного модуля DIMM равнялась 64(или 72 с контролем четности) бит , поэтому 64-разрядному процессору для нормального функционирования было достаточно 1 модуля. Стандартная тактовая частота для этого типа памяти 66, 100 и 133MHz, кроме того модули различались по вольтажу и были представлены в двух вариантах 5,0и 3,3v.

Технология DDR (Double Data Rate)позволила удвоить скорость передачи данных в два раза при той же тактовой частоте шины памяти и тех пор DDR прочно занял позиции на рынке комплектующих.

На данный момент мы имеем уже третье поколение памяти DDR.

7.Перспектива

1.Недавно появилась новая разновидность оперативной памяти которая явилась, своего рода, эволюционным развитием поколений оперативной памяти DDR. Это оперативная память разновидности DDR 4 типа SDRAM. Этот тип памяти отличается более высокой частотой шины и сравнительно низким напряжением. Так, частота шины для памяти DDR 4 будет составлять от 2133 до 4266 Мегагерц. Компания-разработчик планирует начать выпускать данный тип памяти где-то в конце 2012 года. Как известно в первом квартале прошлого года фирма Самсунг представила общественности на одной из компьютерных выставок новые модули DDR 4, которые работали в режиме DDR 4 при частоте 2133 Мегагерц и величине напряжения приблизительно в один Вольт. Сотрудники из аналитического общества IHS-iSuppli прогнозируют, что доля рынка DDR 4 начнет увеличиваться от 5 процентов в начале 2013 года до 50 процентов в 2015 году.

Чуть позже фирма Hynix также представила первый модуль оперативки DDR 4 собственной разработки, который работал на большей частоте (2,4 Гигагерца вместо 2133 Мегагерц). Hynix объявила о том, что производительность компьютерных систем увеличится на 80 процентов по сравнению с производительностью систем, имеющих оперативную память DDR 3 при частоте шины1333 Мегагерц. Hynix собирается начать выпускать оперативную память DDR 4 в конце 2012 года. Ожидаемая пропускная способность памяти DDR 4: при частоте 2133 Мегагерц — 17 064 Мегабайт за одну cекунду; при частоте 4266 Мегагерц - 34 128 Мегабайт за одну секунду



2.SSD-накопители могут работать настолько быстро, что узким местом в системе оказывается программное обеспечение. Началом революции в области накопителей данных станет появление твердотельных дисков на основе памяти нового поколения, которые будут соединяться с системной платой по высокоскоростным интерфейсам. Уже сегодня серверные SSD. подключаемые через разъем PCI Express, обеспечивают более высокую скорость передачи данных по сравнению с классическими твердотельными носителями. А с выходом новых процессоров от компании Intel на базе микроархитектуры Ivy Bridge данное увеличение производительности затронет и домашние компьютеры. По прогнозам экспертов, в перспективе накопители данных будут обеспечивать время доступа на уровне оперативной памяти, а применение новых технологий приведет в ближайшие годы к слиянию ОЗУ и жесткого диска.Среди всех типов запоминающих устройств предельную скорость передачи данных сегодня обеспечивает оперативная память (DRAM). Но как только на модуль памяти перестает поступать питание, она очищается. Однако с появлением устройств нового типа ситуация обещает измениться в лучшую сторону. Среди почти десятка претендентов можно выделить два типа памяти, которые смогут поступить в серийное производство до 2015 года: Phase Change Memory (память на основе фазового перехода, РСМ) и Resistive RAM (резистивная память, Re-RAM). В памяти на основе фазового перехода используется металлический сплав халькогенид, который в зависимости от прилагаемого напряжения принимает кристаллическую или аморфную структуру. Ввиду того что в РСМ, как и во флеш-памяти, хранящиеся данные необходимо сначала удалить, по скорости работы чипы РСМ не могут сравниться с DRAM. Резистивная же память подает больше надежд, но в настоящее время существуют лишь прототипы таких чипов, выпускаемые компаниями HP, Panasonic, Samsung и Sony. В ReRAM все усилия направлены на то, чтобы сделать изоляционный материал токопроводящим, приложив к нему напряжение, в результате чего значение бита становится равным 1. Чтобы изменить его, необходимо приложить обратное напряжение, которое восстановит изоляционные свойства материала. В отличие от флеш- и PCM-памяти технология ReRAM обеспечивает прямую перезапись данных. Скорости чтения и записи одинаковы и находятся на уровне оперативной памяти — идеальные предпосылки для получения высокопроизводительного накопителя будущего.

8. Сводные таблицы сравнения

Результаты тестирования производительности комплекта оперативной памяти DDR3-1600 2х4 Гб AMD Memory AE34G1609U2

Комплект оперативной памяти DDR3-1600 2х4 Гб AMD Memory AE34G1609U2 был протестирован в нескольких режимах с обозначениями на диаграммах:

1. AMD Memory AE34G1609U2 1600(9-9-9-24) 1.52V – на номинальной частоте DDR3-1600 9-9-9-24 (согласно стикеру) при напряжении 1,52В (BIOS материнской платы не позволил выставить напряжение 1,5В).

2. AMD Memory AE34G1609U2 2133(9-9-9-27) 1.60V – на частоте памяти 2129 МГц с частотой процессора 2928 МГц

3. AMD Memory AE34G1609U2 2306(10-10-10-30) 1.65V – максимальная частота памяти 2306 МГц, частота процессора 2884 МГц.

4. AMD Memory AE34G1609U2 1600(7-8-7-22) 1.65V  – на частоте 1600 МГц с минимальными таймингами, частота процессора 2900 МГц.

Для сравнения результатов на материнской плате MSI A75MA-G55 были протестированы 2 модуля памяти DDR3-1600 4Гб Corsair CMX4GX3M1A1600C7 в режимах:

1. Corsair CMX4GX3M1A1600C7 1600(7-8-7-22) 1.65V – частота памяти 1600 МГц с минимальными таймингами, частота процессора 2900 МГц.

2. Corsair CMX4GX3M1A1600C7 2370(10-11-10-30) 1.65V – максимальная частота работы памяти 2370 МГц с таймингами 10-11-10-30 1Т.



SuperPi (1M и 32M)

SuperPi 1M:
результаты тестов. superpi 1m

SuperPi 32M:
результаты тестов. superpi 32m

SiSoftware Sandra 2012

результаты тестов. sisoftware sandra 2012

результаты тестов. sisoftware sandra 2012

MaxxMEM2 (однопоточный тест)

результаты тестов. maxxmem2 (однопоточный тест)результаты тестов. maxxmem2 (однопоточный тест)

результаты тестов. maxxmem2 multi (многопоточный тест)результаты тестов. maxxmem2 multi (многопоточный тест)


результаты тестов. aida64 extreme edition 2.20результаты тестов. aida64 extreme edition 2.20

Архиваторы

7Zip 9.20 x64

результаты тестов. 7zip 9.20 x64

PowerArchiver 2011

результаты тестов. powerarchiver 2011

9. Заключение

В этом реферате были раскрыты нюансы оперативной памяти. Мы убедились, что эта память является одним из важнейших компонентов компьютера. Ведь именно от нее во многом зависит быстродействие компьютера, а также программное обеспечение, которое мы сможем использовать на нем.

В настоящее время разработано много видов оперативной памяти: высокоскоростной и более медленной, дорогой и подешевле. Какую память следует устанавливать на компьютер, должен решать сам пользователь, в зависимости от того, какие возможности ему нужны. Но следует помнить, что быстроразвивающаяся компьютерная отрасль, в том числе программное обеспечение, предъявляют все большие требования к компьютерам, в том числе и к оперативной памяти.

10. Кэш-память

Кэш или кеш (англ. cache, от фр. cacher — «прятать»)— промежуточный буфер с быстрым доступом, содержащий информацию, которая может быть запрошена с наибольшей вероятностью. Доступ к данным в кэше идёт быстрее, чем выборка исходных данных из оперативной (ОЗУ) и быстрее внешней (жёсткий диск или твердотельный накопитель) памяти, за счёт чего уменьшается среднее время доступа и увеличивается общая производительность компьютерной системы.

Функционирование

Кэш — это память с большей скоростью доступа, предназначенная для ускорения обращения к данным, содержащимся постоянно в памяти с меньшей скоростью доступа (далее «основная память»). Кэширование применяется ЦПУ, жёсткими дисками, браузерами, веб-серверами, службами DNS и WINS.

Кэш состоит из набора записей. Каждая запись ассоциирована с элементом данных или блоком данных (небольшой части данных), которая является копией элемента данных в основной памяти. Каждая запись имеет идентификатор, определяющий соответствие между элементами данных в кэше и их копиями в основной памяти.

Назначение кеш-памяти

Что же такое кэш-память или кэш (по англ. cache memory, cache):

-- в широком смысле, подразумевается любая память с быстрым доступом, где хранится часть данных с другого носителя с более медленным доступом;

-- в узком смысле — это сверхоперативный вид памяти, который используется для повышения скорости доступа микропроцессора к оперативной памяти.

Кэш-память хранит элементы данных, к которым часто обращается процессор.Таким образом, каждый раз, запрашиваются эти данные, и процессор получает их из кэша, минуя долгий путь в основную медленную память.

Кэш – это такая часть памяти, которая автоматически осуществляет поиск любых данных, которые могут понадобиться в ближайшем будущем. Когда кэш-память извлекает запрошенные данные из памяти, она также извлекает данные, которые находятся по адресам, близким к запрошенным.Эти смежные блоки данных, которые и передаются в кэш, называются кэш-линиями.



Уровни кэш-памяти

Большинство жестких дисков используют один уровень кэш-памяти. Но кэш имеет два уровня, где уровень L1 меньше и быстрее, а уровень L2, несколько медленнее (но все равно быстрее, чем основная внутренняя память).

И снова возвратимся за примером к нашей библиотеке, на примере ее работы становится понятна как работает внешняя память компьютера.

Когда кэш L1 заполнен, данные сохраняются в L2. Процессор в первую очередь ищет данные в L1, если они не будут найдены, то он обратится уже к L2. Если там тоже данные не найдены в L2, то идет обращение к основной памяти.



Двухуровневый кэш процессора

Когда же данные не найдены ни в первом, ни во втором уровне кэша, только тогда посылается запрос в основную память. На это тратится много процессорного времени.

Но если кэш-память работает так быстро, почему бы не выполнять его достаточно большой, чтобы хранить все данные оперативной памяти в нем?

Причина в том, что высокая скорость обходится очень дорого. Поэтому необходимо рациональное использование ресурсов кэш-памяти.

Хотя в последнее время, размеры кэш-памяти все увеличиваются, а цены растут не сильно, поэтому компьютеры работают все быстрее и быстрее.

Кэширование жесткого диска

Почти все современные жесткие диски оснащены собственной кэш-памятью размером от нескольких килобайт до нескольких мегабайт (2, 4, 8, 16 или 32 Мб).

Дисковая кэш-память (disk cache), или кэш-память жестского диска — принцип построения кэш-памяти на основе динамического оперативного запоминающего устройства (типа DRAM), которое хранит наиболее часто используемые данные и команды, доступ к которым производится из внешней памяти.

Поэтому принцип кэширования жесткого диска во многом схож на принцип кэширования, используемый для оперативной динамической памяти, хоть способы доступа к диску и памяти значительно разнятся.

Так, время доступа к любой из ячеек оперативной памяти имеет примерно одинаковое для данного компьютера значение, а вот время доступа к различным блокам информации на жестком диске в общем случае будет различным.

Методы кэширования, используемые для оперативной памяти, применяются и для кэширования информации, хранимой на жестких дисках.

Кэш-память диска заполняется не только требуемым сектором, но и секторами, непосредственно следующими за ним, так как известно, что в большинстве случаев взаимосвязанные данные хранятся в соседних секторах.

Этот метод известен также как метод опережающего чтения (Read Ahead). При работе с многозадачными системами желательно иметь жесткий дик (винчестер) с мультисегментной кэш-памятью, которая для каждой из задач отводит свою часть кэша.



Кэш-память процессора

Кэш-памятью сейчас комплектуется большинство современных центральных процессоров. А первоначально кэш-память располагалась не на самом процессоре, а на материнской плате.

Кэш-память процессора на компьютере выполняет функции буфера между процессором и оперативной памятью.

Если кэш-память располагается между самим процессором и оперативной памятью, то при непосредственном обращении процессора к памяти сначала производится поиск необходимых данных в кэш-памяти.

Кэш-памяти процессора делятся на несколько видов:

Cache L1 — это «кэш-память первого уровня». Является промежуточной сверхоперативной памятью, находится на самом кристалле процессора, в ней размещаются наиболее часто используемые данные.

Работает эта память на частоте процессора. Время доступа к ней существенно меньше, чем к данным в основной оперативной памяти. Этим достигается ускорение работы процессора.

Cache L2 — «кэш-память второго уровня». Это промежуточная сверхоперативная память, которая имеет быстродействие ниже памяти первого уровня, но выше основной оперативной памяти. Ее размер обычно составляет от нескольких сотен килобайт до нескольких мегабайт.

Cache L3 — «кэш-память третьего уровня». Тоже промежуточная сверхоперативная память, имеющая быстродействие ниже памяти второго уровня, но выше основной оперативной памяти. Ее размер обычно составляет от одного до нескольких мегабайт.

В основном, этот тип памяти используется в серверных процессорах. Встречается кэш-память и более высоких уровней, например, D-Cache — сверхоперативная память, используемая для хранения инструкций процессора.



11. Глоссарий

SRAM (память, S
tatic random access memory) — один из видов компьютерной памяти, статическая память с произвольным доступом.

DRAM (Dynamic random access memory, Динамическая память с произвольным доступом) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом.

Триггер (англ. trigger -«собачка, защёлка, спусковой крючок - в общем смысле, приводящий нечто в действие элемент»; «приводить в действие»)

Шина (bus) - это главная магистраль, по которой происходит информационный обмен между устройствами компьютера.

Тайминги— латентность, CAS Latency (CL), то есть временная задержка сигнала.

По́льзовательский интерфейс -разновидность интерфейсов, в котором одна сторона представлена человеком (пользователем), другая — машиной/устройством.

Твердотельный накопитель (англ. SSD, solid-state drive) — компьютерное немеханическое запоминающее устройство на основе микросхем памяти. Кроме них, SSD содержит управляющий контроллер.

PCI Express, или PCIe, или PCI-E (также известная как 3GIO for 3rd Generation I/O) – компьютерная шина, использующая программную модель шины PCI и высокопроизводительный физический протокол, основанный на последовательной передаче данных.

Resistive RAM -резистивная память

РСМ- память на основе фазового перехода

12. Список литературы(источников)

1. http://www.genon.ru/GetAnswer.aspx?qid=dad423b4-e8a7-4b60-ab85-163437354b7f

2. http://inf1.info/ram

3. http://chinim-pk.ru/principy-raboty-operativnoj-pamyati/

4. http://rapidsoft.org/articles/hardtuning/item/67-ram_specifications

5. http://allmemory.ru/baza_znanij/evolyuciya_operativnoj_pamyati/

6. http://recoverme.ru/index.php?option=com_content&view=article&id=208:2012-06-16-09-05-30&catid=6:polezno&Itemid=3

7. http://comp-future.com/budushhee-kompyuternyx-sistem-za-operativnoj-pamyatyu-ddr-4/





Поделитесь с Вашими друзьями:


База данных защищена авторским правом ©nethash.ru 2017
обратиться к администрации

войти | регистрация
    Главная страница


загрузить материал